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《模拟电子技术》期末复习笔记4——上交大郑益慧课件知识点整理_模拟电子技术 漂移
《模拟电子技术》期末复习笔记4——上交大郑益慧课件知识点整理_模拟电子技术 漂移 模拟电子技术，这门学科的精髓在于理解和运用电路在模拟信号上的行为。经过一个学期，我整理了上交大郑益慧教授的课件，希望能帮助大家在期末复习中有所帮助。今天我们重点梳理一下模拟电子技术中“漂移”这一关键概念。 漂移，简单来说，就是半导体材料（通常是硅）中的载流子（电子或空穴）由于施加电场而产生的定向移动。 理解漂移是理解基极电压、基极电流等现象的基础。 郑益慧教授在课件中详细讲解了漂移速度与温度的关系：温度升高，载流子热能增加，漂移速度加快，从而影响了电路的性能。 要准确理解漂移，首先要掌握漂移速度的公式：v = μE，其中μ是迁移率，E是电场强度。 迁移率是一个材料属性，它反映了载流子在电场作用下移动的能力。 不同的半导体材料，其迁移率也不同，这直接决定了它们在电路中的工作特性。 其次，理解基极电压对漂移的影响至关重要。基极电压的变化会直接影响电场强度，进而改变载流子的漂移速度。 这种控制机制是构建晶体管的基础。 最后，我们也要关注基极电流与漂移速度的关系。 较大的基极电流会产生更强的电场，从而对载流子的漂移产生更显著的影响。 这也是我们理解晶体管放大特性的一个关键因素。希望这份笔记能帮助大家在复习中掌握漂移这一核心概念，祝大家期末考试顺利！
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模拟电子技术
2025-07-22
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